Infineon baut in Villach weltweit erste GaN-Hochvolumenfertigung
Bild mit KI erstellt Für Infineons geplante GaN-Fertigung in Villach genehmigte die EU-Kommission 319 Millionen Euro. Die österreichische Förderzusage wird noch erwartet.
Infineon errichtet in Villach eine Hochvolumenfertigung für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter (GaN). Sie wird weltweit die erste Anlage dieser Art sein und Kunden beliefern. Für den Standort als globales Kompetenzzentrum für Leistungshalbleiter ist eine Investition von rund 1,1 Milliarden Euro vorgesehen.
Die Fertigung soll auf 300-Millimeter-Wafern produzieren. Infineon hatte nach eigenen Angaben bereits vor zwei Jahren die weltweit ersten 300-Millimeter-Galliumnitrid-Wafer erfolgreich prozessiert. Die Chip-Produktion auf Wafern dieser Größe ist fortschrittlicher und wesentlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern. Pro Wafer ermöglicht der größere Durchmesser die 2,3-fache Menge an Chips.
Die formelle Förderzusage wird noch erwartet
Die Europäische Kommission genehmigte staatliche Fördermittel von 319 Millionen Euro im Rahmen des European Chips Acts. Die formelle Förderzusage des zuständigen österreichischen Bundesministeriums für Wirtschaft, Energie und Tourismus wird innerhalb der gesetzten Fristen erwartet. Der Produktionshochlauf ist an die Marktnachfrage angepasst.
Infineon Austria beschäftigt rund 5.800 Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter, etwa 4.800 davon am Standort Villach. Nach Angaben des Unternehmens stärkt die Investition Villachs Rolle als globales Kompetenzzentrum für Leistungselektronik und neue Halbleitermaterialien.
Galliumnitrid kann Strom effizienter schalten und umwandeln. Dadurch entstehen kleinere, leistungsfähigere und energieeffizientere elektronische Systeme mit geringeren Energieverlusten und weniger Wärmeentwicklung. Analysten erwarten für den Markt für GaN-Leistungshalbleiter 2031 ein Volumen von rund dreieinhalb Milliarden Dollar. Für die Jahre 2025 bis 2031 rechnen sie mit einem jährlichen Wachstum von rund 35 Prozent.
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